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参数资料
| 型号： | STPS20L15G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | STPS20L15G |
STPS20L15D/G
2/5
Symbol
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
Tj=25
°CVR = 15V
6
mA
Tj = 100
°CVR = 15V
200
500
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF = 19 A
0.41
V
Tj=25
°CIF = 40 A
0.52
Tj = 125
°CIF = 19 A
0.28
0.33
Tj = 125
°CIF = 40 A
0.42
0.50
Pulse test :
* tp = 380
s, δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P=0.18xIF(AV) + 8.10
-3 xIF2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
1012
1416182022
0
1
2
3
4
5
6
7
8
PF(av)(W)
IF(av) (A)
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
IF(av)(A)
Tamb(°C)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j -c)
Rth(j-a)=35°C/W
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 1).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
50
100
150
200
250
IM(A)
t(s)
IM
t
δ=0.5
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=110°C
Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
1.0E-4
1.0E-3
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp (s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 6: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述 |
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