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参数资料
| 型号： | STPS20L45CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | STPS20L45CT |
STPS20L45C
Characteristics
3/9
Figure 1.
Average forward power
dissipation versus average forward
current (per diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature
(
δ = 0.5, per diode)
P
(W)
F(AV)
02468
10
12
14
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
I
(A)
F(AV)
TO-220FPAB
R=R
th(j-a)
th(j-c)
T
(°C)
amb
T
δ=tp/T
tp
TO-220AB / TO-247
R
=15°C/W
th(j-a)
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode,
TO-220AB, D2PAK)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode,
TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
I (A)
M
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =50°C
C
T =100°C
C
T =25°C
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS20L45CG-TR | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STPS20S100CT | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS20S100CFP | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS20S100CR | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS20L45CW | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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