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参数资料
| 型号： | STPS2H100RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | STPS2H100RL |
STPS2H100RL
Characteristics
Doc ID 9217 Rev 4
3/7
Figure 1.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature
P
(W)
F(AV)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
(A)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 1
δ = 0.5
I
(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
amb
R=R
th(j-a)
th(j-I)
R
=100°C/W
th(j-a)
T
δ=tp/T
tp
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration
I (A)
M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =25°C
a
T =75°C
a
T =125°C
a
Z/R
th(j-a)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
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