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参数资料
| 型号： | STPS30170CG |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 170 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | STPS30170CG |
STPS30170C
2/9
Table 3: Absolute Ratings (limiting values, per diode)
Table 4: Thermal Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics (per diode)
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.64 x IF(AV) + 0.0073 IF
2
(RMS)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
170
V
IF(RMS) RMS forward current
30
A
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
TO-220FPAB
Tc = 120 °C
Per diode
Per device
15
A
TO-220AB /
D2PAK
Tc = 155 °C
TO-247
30
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10ms sinusoidal
220
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1s Tj = 25 °C
10500
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature *
175
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
* :
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220FPAB
Per diode
Total
4
3.3
°C/W
TO-220AB / D2PAK
Per diode
Total
1.6
0.85
TO-247
Per diode
Total
1.5
0.8
Rth(c)
TO-220FPAB
Coupling
2.6
°C/W
TO-220AB / D2PAK
Coupling
0.3
TO-247
Coupling
0.3
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
20
A
Tj = 125 °C
520
mA
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 15 A
0.92
V
Tj = 125 °C
0.69
0.75
Tj = 25 °C
IF = 30 A
1
Tj = 125 °C
0.80
0.86
dPtot
dTj
---------------
1
Rth j
a
–
()
--------------------------
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS30170CT | 15 A, 170 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS30H60CT | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS30H60CW | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| STPS30H60CG-TR | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS30L30CGTRRPBF | 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS30170CG-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS30170CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS30170CW | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS30170DJF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Power Schottky rectifier |
| STPS30170DJF-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 A Vrrm 170 V Vf 0.65 Tj 150c RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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