参数资料
型号: STPS3030CG
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 3/9页
文件大小: 126K
代理商: STPS3030CG
STPS3030CT/CG/CR
Characteristics
3/9
Figure 1.
Conduction losses versus average
current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
02468
10
12
14
16
18
20
I
(A)
F(av)
P(W)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth
(j-a)=Rth(j-c)
Rth
(j-a)=50°C/W
IF(av)(A)
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM(A)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
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