参数资料
型号: STPS3045DJF-TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERFLAT-8
文件页数: 3/7页
文件大小: 91K
代理商: STPS3045DJF-TR
STPS3045DJF
Characteristics
Doc ID 16758 Rev 2
3/7
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
(W)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
I
(A)
F(AV)
T
δ = t / T
p
t
p
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
R= R
th(j-a)
th(j-c)
I
(A)
F(AV)
T
δ = t / T
p
t
p
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
I (A)
M
I
M
t
δ = 0.5
t(s)
T = 25 °C
c
T = 75 °C
c
T = 125 °C
c
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
Single pulse
t (s)
p
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PDF描述
STPSC1006G-TR 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE
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