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参数资料
| 型号： | STPS30H60CW |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封装： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | STPS30H60CW |
Characteristics
STPS30H60C
4/11
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB, TO-247
D2PAK, I2PAK)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
TO-220FPAB
t (s)
p
Z/R
th(j-c)
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
I (mA)
R
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
j=125°C
T
j=100°C
T
j=75°C
T
j=50°C
T
j=25°C
T
j=150°C
V (V)
R
C(nF)
0.1
1.0
10.0
1
10
100
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
V (V)
R
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current (per diode)
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (epoxy printed board
FR4, copper thickness = 35 m)
(D2PAK)
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
T
J=25 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Typical values
T
J=125 °C
Typical values
V
(V)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S(cm)
R
(°C/W)
th(j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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