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参数资料
| 型号： | STPS30L120CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | STPS30L120CT |
Characteristics
STPS30L120C
4/9
Doc ID 16313 Rev 2
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
Figure 7.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
δ =0.5
I (A)
M
t(s)
TO220AB
0
20
40
60
80
100
120
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
δ =0.5
I (A)
M
t(s)
TO220FPAB
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB)
Figure 9.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Single pulse
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Figure 10.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
Figure 11.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
0
102030405060
708090
100
110
120
T
j=150°C
T
j=125°C
T
j=25°C
T
j=100°C
T
j=75°C
T
j=50°C
I (mA)
R
V (V)
R
100
1000
1
10
100
1000
F=1MHz
VOSC=30mVRMS
Tj=25°C
C(pF)
V (V)
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS330S | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS320S | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS40L15CT | 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L15CT | 20 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STPS30L30C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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