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参数资料
| 型号： | STPS30L60CG |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | STPS30L60CG |
STPS30L60C
Characteristics
3/11
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current (per
diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5, per
diode)
0
2
4
6
8
101214
161820
0
2
4
6
8
10
12
P(W)
F(av)
T
δ=tp/T
tp
I(A)
F(av)
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100
125
150
R
th(j-a)=Rth(j-c)
R
th(j-a)=15 °C/W
T
δ=tp/T
tp
TO-220FPAB
I
(A)
F(av)
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
(TO-220AB, TO-247, D2PAK, I2PAK)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
(TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
50
100
150
200
250
I (A)
M
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=75°C
t(s)
IM
t
δ=0.5
0
20
40
60
80
100
120
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=50 °C
T
C=75 °C
T
C=125 °C
IM
t
δ =0.5
TO-220FPAB
t(s)
I(A)
M
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STPS30L60CW | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 60 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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