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参数资料
| 型号： | STPS30SM100SG-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | STPS30SM100SG-TR |
STPS30SM100S
Characteristics
Doc ID 15517 Rev 2
3/10
Figure 2.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 3.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
PF(av)(W)
I (av)(A)
F
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=15°C/W
T
δ=tp/T
tp
TO-220AB/IPAK/D PAK
TO-220FPAB
IF(av)(A)
T
(°C)
amb
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 5.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload
duration, maximum values
Figure 7.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration,
maximum values (TO-220FPAB)
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TC=25°C
TC=75°C
TC=125°C
IM
t
δ =0.5
TO-220AB/IPAK/D PAK
IM(A)
t(s)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TC=25°C
TC=75°C
TC=125°C
IM
t
δ =0.5
TO-220FPAB
IM(A)
t(s)
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