参数资料
型号: STPS40170CT
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 20 A, 170 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/8页
文件大小: 121K
代理商: STPS40170CT
STPS40170C
3/8
Figure 1: Average forward power dissipation
versus average forward current (per diode)
Figure 2: Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5, per diode)
Figure
3:
Normalized
avalanche
power
derating versus pulse duration
Figure
4:
Normalized
avalanche
power
derating versus junction temperature
Figure 5: Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values, per diode)
Figure
6:
Relative
variation
of
thermal
impedance junction to case versus pulse
duration
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
1012
14
161820
22
24
2628
P
F(AV)(W)
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
T
d=t /T
p
tp
IF(AV)(A)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
175
I
F(AV)(A)
R
th(j-a)=15°C/W
T
d=t /T
p
tp
R
th(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(°C)
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
0
50
100
150
200
250
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
I
M(A)
T
C=50°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
d =0.5
t(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
d=0.1
d=0.2
d=0.5
Single pulse
T
d=t /T
p
tp
tP(s)
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