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参数资料
| 型号： | STPS4030CR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, I2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | STPS4030CR |
STPS4030CT/CG/CR
2/6
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
0.50
1.0
mA
Tj = 125°C
170
350
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF =20 A
0.44
0.49
V
Tj = 125°C
IF =20 A
0.35
0.40
Tj=25
°CIF =40 A
0.52
0.61
Tj = 125°C
IF =40 A
0.46
0.55
Pulse test : * tp = 380
s, δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.25xIF(AV) + 0.0075 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case TO-220AB - D
2PAK-I2PAK
Per diode
Total
1.6
0.85
°C/W
Rth(c)
Coupling
0.1
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
IF(av)(A)
P(W)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=50°C/W
IF(av)(A)
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature(
δ = 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS61L45CW | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| STPS61L45CT | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPSC806D | 8 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH2R02U | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH2R02QRL | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STPS4045C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
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