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参数资料
| 型号： | STPS4045CP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218AC |
| 封装： | PLASTIC, SOT-93, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | STPS4045CP |
STPS4045CP/CW
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
t(s)
IM(A)
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
IM
t
δ=0.5
Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum
values) (per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Fig. 6: Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
5E+4
VR(V)
IR(A)
Tj=150°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=75°C
Tj=50°C
Tj=25°C
Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
12
5
10
20
50
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
Fig. 8: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS5L60 | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
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| STTH106 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| STTH1502DI | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STPS4045CWY | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STPS40H100 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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