参数资料
型号: STPS40L45CT
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 2/7页
文件大小: 177K
代理商: STPS40L45CT
STPS40L45CT/CW
2/6
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage cur-
rent
Tj = 25°C
VR =VRRM
0.6
mA
Tj = 125°C
140
280
mA
VF *
Forward voltage
drop
Tj=25
°CIF =20 A
0.53
V
Tj = 125°C
IF =20 A
0.42
0.49
Tj = 25°C
IF =40 A
0.69
Tj = 125°C
IF =40 A
0.6
0.7
Pulse test:*tp=380 s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.28xIF(AV) + 0.0105 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
Total
1.5
0.8
°C/W
Rth(c)
Coupling
0.1
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
1012141618202224
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 0.5, per diode)
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