参数资料
型号: STPS60H100CT
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/7页
文件大小: 93K
代理商: STPS60H100CT
STPS60H100C
Characteristics
3/7
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current (per
diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5, per
diode)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0
5
10
15
20
25
30
35
P
(W)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
I
(A)
F(AV)
δ = 1
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
175
I
(A)
F(AV)
T
(°C)
amb
T
δ=tp/T
tp
R=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=15°C/W
th(j-a)
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse
0
50
100
150
200
250
300
350
400
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
T =50°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
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