参数资料
型号: STPS61L45CT
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/8页
文件大小: 127K
代理商: STPS61L45CT
STPS61L45C
Characteristics
3/8
Figure 1.
Conduction losses versus average
forward current (per diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5),
(per diode)
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
35
40
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
P
(W)
F(av)
I
(A)
F(av)
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
R
th(j-a)=Rth(j-c)
R
th(j-a)=10°C/W
T
δ=tp/T
tp
Tamb(°C)
I
(A)
F(av)
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(per diode)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0
50
100
150
200
250
300
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
δ =0.5
t(s)
I (A)
M
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
TO-247
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
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