- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录32633 > STPS61L45CW (STMICROELECTRONICS) 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STPS61L45CW |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | STPS61L45CW |
Characteristics
STPS61L45C
2/8
1
Characteristics
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
ΔTj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c).
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.3 x IF(AV) + 0.007 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values per diode at 25 °C unless otherwise
specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
45
V
IF(RMS)
RMS forward current
60
A
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
Tc = 120 °C
Tc = 115 °C
Per diode
Per device
30
60
A
IFSM
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal
500
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
10000
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature (1)
1.
condition to avoid runaway for a diode on its own heatsink
150
°C
Table 3.
Thermal resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
Total
1.3
0.75
°C/W
Rth(c)
Coupling
0.2
°C/W
Table 4.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
1.5
mA
Tj = 125 °C
190
400
VF
(2)
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 5 A
0.35
V
Tj = 125 °C
0.23
Tj = 25 °C
IF = 15 A
0.43
0.50
Tj = 125 °C
0.34
0.40
Tj = 25 °C
IF = 30 A
0.50
0.56
Tj = 125 °C
0.45
0.51
dPtot
dTj
---------------
1
Rth j
a
–
()
--------------------------
<
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS61L45CT | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPSC806D | 8 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH2R02U | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH2R02QRL | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH310RL | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS61L60CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Dual Schottky 2 x 30 A 45V Vrrm RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS61L60CW | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Dual Schottky 2 x 30 A 45V Vrrm RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS640CB | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2X3 Amp 40 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS640CB-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2X3 Amp 40 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS640CBY-TR | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:630mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。