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参数资料
| 型号： | STPS61L60CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | STPS61L60CT |
Characteristics
STPS61L60C
4/9
Doc ID 15641 Rev 2
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current vs. overload duration
(max. values, per diode, TO-247)
Figure 7.
Non repetitive surge peak forward
current vs. overload duration
(max. values, per diode, TO-220AB)
I (A)
M
0
50
100
150
200
250
300
350
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
c=25 °C
T
c=75 °C
T
c=125 °C
IM
t
δ =0.5
t(s)
0
50
100
150
200
250
300
350
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
c=25 °C
T
c=75 °C
T
c=125 °C
IM
t
δ =0.5
I (A)
M
t(s)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
vs. pulse duration
Figure 9.
Reverse leakage current vs. reverse
voltage applied
(typical values, per diode)
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t (s)
p
I (mA)
R
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
j=125 °C
T
j=100 °C
T
j=75 °C
T
j=50 °C
T
j=25 °C
T
j=150 °C
V (V)
R
Figure 10.
Junction capacitance vs. reverse
voltage applied
(typical values, per diode)
Figure 11.
Forward voltage drop vs. forward
current (per diode)
C(pF)
100
1000
10000
1
10
100
F=1 MHz
V
osc=30 mVRMS
T
j=25 °C
V (V)
R
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J=25 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Maximum values
T
J=125 °C
Typical values
T
J=125 °C
Typical values
V
(V)
FM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STPS640CF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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