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参数资料
| 型号： | STPS640CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | STPS640CFP |
STPS640
Characteristics
3/9
Figure 1.
Average forward power
dissipation versus average
forward current (per diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature
(
δ = 0.5, per diode)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
P
(W)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
(A)
F(AV)
TO-220FPAB
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
R=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=15°C/W
th(j-a)
TO-220AB / DPAK
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration.
(Maximum values, per diode)
(TO-220AB / DPAK)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration.
(Maximum values, per diode)
(TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =75°C
C
T =100°C
C
T =135°C
C
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
t(s)
T =75°C
C
T =100°C
C
T =130°C
C
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