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参数资料
| 型号： | STPS80L30CY |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 40 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, MAX247, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | STPS80L30CY |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STPS80L30CY
2/4
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
0.7
°C/W
Total
0.5
Rth (c)
Coupling
0.3
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR =VRRM
4mA
Tj = 125°C
0.7
1.5
A
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 40 A
0.48
V
Tj = 125°C
IF = 40 A
0.34
0.38
Tj = 25°C
IF = 80 A
0.58
Tj = 125°C
IF = 80 A
0.48
0.53
Pulse test :
* tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P=0.23xIF(AV) + 0.0037 x IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 0.5, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS8H100CR | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS8H100R | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS8H100F | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPSC606G-TR | 6 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE |
| STPSC606D | 6 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS80L60CY | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2X40 Amp 60 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS8170DEE-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Power Schottky REC 8A 170V 0.66V VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS8H100D | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS8H100D | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8A 100V |
| STPS8H100DEE-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 High Volt 8A IF 100V 0.68V VF PowerFLAT RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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