参数资料
型号: STPS8H100CR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: I2PAK-3
文件页数: 3/8页
文件大小: 98K
代理商: STPS8H100CR
STPS8H100D/F/G/CR/FP
3/8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
10
Rth(j-a)=50
°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(
°C)
IF(av)(A)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2-2: Average forward current versus ambient
temperature
(
δ=0.5)
(ISOWATT220AC,
TO-220FPAC).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tc=75
°C
Tc=100
°C
Tc=125
°C
t(s)
IM(A)
IM
t
δ=0.5
Fig. 3-2: Non repetitive surgepeak forwardcurrent
versus overload duration (maximum values)
(ISOWATT220AC, TO-220FPAC).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Fig. 4-2: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration
(ISOWATT220AC, TO-220FPAC).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
t(s)
IM(A)
Tc=75
°C
Tc=100
°C
Tc=125
°C
IM
t
δ=0.5
Fig. 3-1: Non repetitive surgepeak forward current
versus overload duration (maximum values)
(TO-220AC / I
2PAK / D2PAK).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Fig. 4-1: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration
(TO-220AC / I
2PAK / D2PAK).
0
102030
405060
708090
100
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
5E+3
VR(V)
IR(
A)
Tj=125
°C
Tj=25
°C
Fig. 5: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
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PDF描述
STPS8H100R 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STPS8H100F 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPSC606G-TR 6 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE
STPSC606D 6 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STS310A1A BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214
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参数描述
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