参数资料
型号: STPSC1006G
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 2/8页
文件大小: 101K
代理商: STPSC1006G
Characteristics
STPSC1006
2/8
Doc ID 16287 Rev 2
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.2 x IF(AV) + 0.09 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values at 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS)
Forward rms current
18
A
IF(AV)
Average forward current
Tc = 115 °C, δ = 0.5
10
A
IFSM
Surge non repetitive forward
current
tp = 10 ms sinusoidal, Tc = 25 °C
tp = 10 ms sinusoidal, Tc = 125 °C
tp = 10 s square, Tc = 25 °C
40
32
160
A
IFRM
Repetitive peak forward current
δ = 0.1, TC = 110 °C,
Tj = 150 °C
40
A
Tstg
Storage temperature range
-55 to +175
°C
Tj
Operating junction temperature
-40 to +175
°C
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
2
°C/W
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
tp = 10 ms, δ < 2%
Reverse leakage
current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
-30
150
A
Tj = 150 °C
-
210
1500
VF
(2)
2.
tp = 500 s, δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
-1.4
1.7
V
Tj = 150 °C
-
1.6
2.1
Table 5.
Other parameters
Symbol
Parameter
Test conditions
Typ.
Unit
Qc
Total capacitive charge
Vr = 400 V, IF = 10 A dIF/dt = -200 A/s
Tj = 150 °C
12
nC
C
Total capacitance
Vr = 0 V, Tc = 25 °C, F = 1 Mhz
650
pF
Vr = 400 V, Tc = 25 °C, F = 1 Mhz
50
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PDF描述
STQ1553-1 MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS
STR-8-H RF COAXIAL RELAY, SP8T, FAILSAFE, 0.325A (COIL), 12VDC (COIL), 3900mW (COIL), 18000MHz, 2W (RF INPUT), PANEL MOUNT
STR/LH/8/RAPP/NVG20 SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE
STR/LH/8/RAF/NVG20 SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE
STR3-A-26 RF COAXIAL RELAY, SP6T, FAILSAFE, 4600mW (COIL), 26500MHz, 2W (RF INPUT), PANEL MOUNT
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参数描述
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STPSC10H065B-TR 功能描述:肖特基二极管与整流器 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
STPSC10H065D 功能描述:肖特基二极管与整流器 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
STPSC10H065DI 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50
STPSC10H065DY 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK?2 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:480pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50