- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31384 > STPSC1206D (STMICROELECTRONICS) 12 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STPSC1206D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | STPSC1206D |
September 2009
Doc ID 16288 Rev 1
1/7
7
STPSC1206
600 V power Schottky silicon carbide diode
Features
■ No reverse recovery
■ Switching behavior independent of
temperature
■ Dedicated to PFC boost diode
Description
These diodes are manufactured using silicon
carbide substrate. This wide bandgap material
supports the manufacture of a Schottky diode
structure with a high voltage rating. Such diodes
exhibit no or negligible recovery characteristics.
The recovery characteristics are independent of
the temperature.
Using these diodes will significantly reduce the
switching power losses of the associated MOS-
FET, and thus increase the efficiency of the
overall application. These diodes will then
outperform the power factor correction circuit
operating in hard switching conditions.
Table 1.
Device summary
IF(AV)
12 A
VRRM
600 V
Tj (max)
175 °C
QC (typ)
12 nC
K
A
TO-220AC
STPSC1206D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH10LCD06SG-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH10LCD06D | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10LCD06SB-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH10R04D | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10R04FP | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPSC12C065DY | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:530pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 |
| STPSC12H065CT | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 6A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 650V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 |
| STPSC12H065D | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:600pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 |
| STPSC12H065DY | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:ECOPACK?2 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:600pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 |
| STPSC15H12D | 功能描述:1200V POWER SCHOTTKY SILICON CAR 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。