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参数资料
| 型号： | STPSC406D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | STPSC406D |
Characteristics
STPSC406
2/8
Doc ID 16283 Rev 1
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.20x IF(AV) + 0.3 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values at 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) Forward rms current
11
A
IF(AV)
Average forward
current
DPAK, Tc = 110 °C, δ = 0.5
4
A
TO-220AC, Tc = 95 °C, δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive
forward current
tp = 10 ms sinusoidal, Tc = 25 °C
tp = 10 ms sinusoidal, Tc = 125 °C
tp = 10 s square, Tc = 25 °C
14
10
40
A
IFRM
Repetitive peak forward
current
DPAK, Tc = 115 °C, Tj = 150 °C, δ = 0.1
14
A
TO-220AC, Tc = 105 °C, Tj = 150 °C, δ = 0.1
Tstg
Storage temperature range
-55 to +175
°C
Tj
Operating junction temperature(1)
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
-40 to +175
°C
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
T0-220AC
5.5
°C/W
DPAK
4.5
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
tp = 10 ms, δ < 2%
Reverse leakage
current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
-10
50
A
Tj = 150 °C
-
60
500
VF
(2)
2.
tp = 500 s, δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 4 A
-1.55
1.9
V
Tj = 150 °C
-
1.9
2.4
Table 5.
Other parameters
Symbol
Parameter
Test conditions
Typ.
Unit
Qc
Total capacitive charge
Vr = 400 V, IF = 4 A dIF/dt = -200 A/s
Tj = 150 °C
3nC
C
Total capacitance
Vr = 0 V, Tc = 25 °C, F = 1 Mhz
200
pF
Vr = 400 V, Tc = 25 °C, F = 1 Mhz
20
dPtot
dTj
<
1
Rth(j-a)
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PDF描述 |
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