型号: | STPSC806D |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 8 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | STPSC806D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STTH2R02U | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
STTH2R02QRL | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
STTH310RL | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
STTH310S | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
STTH310 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STPSC806G-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
STPSC8H065B-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
STPSC8H065CT | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RECTIFIER - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V TO220AB 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE, SIC, 8A, 650V, TO-220AB |
STPSC8H065D | 功能描述:肖特基二极管与整流器 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
STPSC8H065DI | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:80μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 |