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参数资料
| 型号： | STR630FZ2T6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 36 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封装： | 20 X 20 MM, TQFP-144 |
| 文件页数： | 29/51页 |
| 文件大小： | 1485K |
| 代理商： | STR630FZ2T6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页当前第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
STR73xF
Electrical parameters
35/51
3.3.3
Memory characteristics
Flash Memory
1.
TA=105°C after 0 cycles, Guaranteed by characterization, not tested in production
2.
All bits programmed to 0.
3.
Guaranteed by design, not tested in production.
Table 17.
Flash memory characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
Min
Typ
Max1)
tWP
Word Program (32-bit)
35
80
s
tDWP
Double Word Program(64-bit)
64
150
s
tBP64
Bank Program (64K)
Double Word Program
0.5
1.25
s
tBP128
Bank Program (128K)
Double Word Program
1
2.5
s
tBP256
Bank Program (256K)
Double Word Program
2
4.9
s
tSE8
Sector Erase (8K)
Not preprogrammed
Preprogrammed 2)
0.6
0.5
0.9
0.8
s
tSE32
Sector Erase (32K)
Not preprogrammed
Preprogrammed2)
1.1
0.8
2
1.8
s
tSE64
Sector Erase (64K)
not preprogrammed
preprogrammed 2)
1.7
1.3
3.7
3.3
s
tRPD
3)
Recovery from Power-Down
20
s
tPSL
3)
Program Suspend Latency
10
s
tESL
3)
Erase Suspend Latency
30
s
tESR
3)
Erase Suspend Rate
Min time from Erase
Resume to next Erase
Suspend
20
ms
tSP
3)
Set Protection
40
170
s
tFPW
3)
First Word Program
1
ms
NEND
Endurance
10
kcycles
tRET
Data Retention
TA=85°
20
Years
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PDF描述 |
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