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参数资料
| 型号： | STTA206S |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | STTA206S |
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
5E+1
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
VFM(V)
Fig. 9: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1E-2
1E-1
1E+0
Zth(j-a) (°C/W)
tp(s)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Fig. 10: Relative variation of thermal impedance
junction
to
ambient
versus
pulse
duration
(recommended pad layout).
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
50
100
150
200
250
300
trr(ns)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 12: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence).
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IRM(A)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 11: Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
25
50
75
100
125
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
IRM
S factor
Tj(°C)
Fig. 14: Relative variation of dynamic parameters
versus junction temperature (reference Tj=125°C).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
S factor
IF<2*IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 13: Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt
(typical values).
STTA206S
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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