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参数资料
| 型号： | STTA212S |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | STTA212S |
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
P1(W)
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
IF(av) (A)
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0
123
45
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
5E+1
IFM(A)
Tj=125°C
VFM(V)
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values).
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
tp(s)
Zth(j-a)(°C/W)
1E-2
5E+2
1
10
100
Fig. 3: Variation of thermal impedance junction to
ambient versus pulse duration (epoxy printed cir-
cuit board FR4, e(Cu)=35
m, S(Cu)=1cm2).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.60
0.80
1.00
1.20
S factor
VR=600V
Tj=125°C
IF<2*IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt (typical
values).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
trr(ns)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
5
10
15
20
IRM(A)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 4: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(90% confidence).
STTA212S
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PDF描述 |
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