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参数资料
| 型号： | STTA9012TV2 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 45 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | STTA9012TV2 |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
20
40
60
80
100
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 1: Conduction losses versus average current
(per diode).
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
10
100
500
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
5E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (per diode).
0
100
200
300
400
500
0
200
400
600
800
1000
trr(ns)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence, per diode).
0
100
200
300
400
500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
dIF/dt(A/s)
IRM(A)
VR=600V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(90% confidence, per diode).
0
100
200
300
400
500
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
S factor
IF<2*IF(av)
VR=600V
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt (typical
values).
STTA9012TV1/2
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PDF描述 |
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