参数资料
型号: STTH10R04B
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D2PAK-2
文件页数: 5/11页
文件大小: 167K
代理商: STTH10R04B
STTH10R04
Characteristics
3/11
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
02
468
10
12
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
T
IF(av) (A)
P (W)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
j=125°C
(Maximum values)
T
j=125°C
(Typical values)
T
j=25°C
(Maximum values)
V
(V)
FM
I
(A)
FM
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
DPAK
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAC
tP(s)
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
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参数描述
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