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参数资料
| 型号： | STTH10R04D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | STTH10R04D |
Characteristics
STTH10R04
2/11
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.05 x IF(AV) + 0.03 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
IF(RMS)
Forward current (rms)
20
A
IF(peak)
Peak working
forward current
DPAK, TO-220AC, D2PAK
Tc = 135 °C δ = 0.5
Square signal
10
A
TO-220FPAC
Tc = 130 °C δ = 0.5
Square signal
IFSM
Surge non-repetitive forward current
tp = 10 ms sinusoidal
100
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
DPAK, TO-220AC, D2PAK
3.5
°C/W
TO-220FPAC
6
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
10
A
Tj = 125 °C
10
100
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
1.5
1.7
V
Tj = 125 °C
1.15
1.35
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Table 5.
Recovery characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min Typ Max Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR = 1 A
15
20
ns
IF = 1 A, VR = 30 V, dIF/dt = -50 A/s
40
tfr
Forward recovery time
Tj = 25 °C
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
140
ns
VFP
Peak forward voltage
Tj = 25 °C
IF = 10 A , dIF/dt = 100 A/s
3
V
IRM
Reverse recovery current
Tj = 125 °C
IF = 10 A, VCC = 200 V
dIF/dt = 200 A/s
6.2
8
A
Sfactor
Softness factor
0.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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