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参数资料
| 型号： | STTH112RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | STTH112RL |
Electrical characteristics
STTH112
2/8
Doc ID 9343 Rev 5
1
Electrical characteristics
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
1200
V
V(RMS) Voltage rms
850
V
IF(AV)
Average forward current
Tl = 85°C
δ =0.5
DO-41
1A
Tl = 115°C
δ =0.5 SMA
Tl = 125°C
δ =0.5 SMB
IFSM
Forward surge current
t = 8.3 ms
DO-41
20
A
SMA
18
SMB
Tstg
Storage temperature range
- 50 + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
+ 175
°C
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-l)
Junction to lead
L = 10 mm
DO-41
45
°C/W
SMA
30
SMB
25
Rth (j-a) Junction to ambient
L = 10 mm
DO-41
110
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
VR = 1200 V
Tj = 25 °C
5
A
Tj = 125 °C
50
VF
Forward voltage drop
IF = 1 A
Tj = 25 °C
1.9
V
Tj = 125 °C
1.17
1.65
Tj = 150 °C
1.10
1.55
Table 4.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 0.5 A
Irr = 0.25 A IR = 1A
Tj = 25 °C
75
ns
tfr
Forward recovery time
IF = 1 A
dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
Tj = 25 °C
500
ns
VFP
Forward recovery voltage
30
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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