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参数资料
| 型号： | STTH12010TV2 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | STTH12010TV2 |
Characteristics
STTH12010TV
4/8
Figure 5.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
t (ns)
rr
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R=600V
T
j=125°C
I
F=0.5 x IF(AV)
I
F= 2 x IF(AV)
I
F=IF(AV)
dI /dt(A/s)
F
Q (C)
rr
0
2
4
6
8
10
050
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=0.5 x IF(AV)
I
F= IF(AV)
I
F= 2 x IF(AV)
V
R=600V
T
j=125°C
dI /dt(A/s)
F
Figure 7.
Softness factor versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
S factor
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F = 2 x IF(AV)
V
R=600V
T
j=125°C
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S
factor
I
F = IF(AV)
V
R=600V
Reference: T
j=125°C
t
RR
T (°C)
j
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PDF描述 |
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