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参数资料
| 型号： | STTH1502DI |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | STTH1502DI |
Characteristics
STTH1502
4/10
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration
(TO-220FPAC)
Figure 6.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
0.0
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAC
tp(s)
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
Figure 7.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
RR(nC)
I
F=15A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=15A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Dynamic parameters versus
junction temperature
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
RM(A)
I
F=15A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F=15A
V
R=160V
Tj(°C)
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PDF描述 |
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