- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48075 > STTH1R04A (STMICROELECTRONICS) 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STTH1R04A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | STTH1R04A |
Characteristics
STTH1R04
2/10
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.9 x IF(AV) + 0.250 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values at 25 °C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
DO-41
Tlead = 100 °C
1.0
A
DO-15
Tlead = 105 °C
SMA
Tlead = 125 °C
SMB
Tlead = 140 °C
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
30
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to +175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
1.
On infinite heatsink with 10 mm lead length
175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
Lead length = 10 mm
on infinite heatsink
DO-41
55
°C/W
DO-15
50
Rth(j-l)
Junction to lead
SMA
35
SMB
25
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
5
A
Tj = 125 °C
5
50
VF
(2)
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 1.0 A
1.5
V
Tj = 100 °C
1.0
1.25
Tj = 150 °C
0.9
1.15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1R04Q | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15 |
| STTH1R04U | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| STTH3R04Q | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH3R04RL | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH3R04S | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH1R04AY | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STTH1R04Q | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH1R04QRL | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH1R04RL | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH1R04U | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。