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参数资料
| 型号： | STTH2003CF |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, ISOWATT220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | STTH2003CF |
Characteristics
STTH2003C
4/11
Figure 1.
Conduction losses versus average
forward current (per diode)
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values,
per diode)
02
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
P1(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 1
I
(A)
F(AV)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
1
10
100
200
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
j
T =75°C
j
T =125°C
j
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB / D2PAK /
I2PAK)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-22FP0AB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (90% confidence, per
diode)
Figure 6.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence, per diode)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =200V
T =125°C
R
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
20
40
60
80
100
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =200V
T =125°C
R
j
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