参数资料
型号: STTH20R04G
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D2PAK-2
文件页数: 3/10页
文件大小: 160K
代理商: STTH20R04G
Characteristics
STTH20R04
2/10
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.05 x IF(AV) + 0.015 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
IF(RMS)
RMS forward current
50
A
IF(peak)
Peak working
forward current
DO-247, TO-220AC, D2PAK
Tc = 135 °C δ = 0.5
Square signal
20
A
TO-220FPAC
Tc = 105 °C δ = 0.5
Square signal
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms sinusoidal
150
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
DO-247, TO-220AC, D2PAK
2.8
°C/W
TO-220FPAC
5
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
20
A
Tj = 125 °C
20
200
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 20 A
1.5
1.7
V
Tj = 125 °C
1.15
1.35
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Table 5.
Recovery characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR = 1 A
18
25
ns
IF = 1 A, VR = 30 V, dIF/dt = -50 A/s
35
45
tfr
Forward recovery time
Tj = 25 °C
IF = 20 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
150
ns
VFP
Peak forward voltage
Tj = 25 °C
IF = 20 A , dIF/dt = 100 A/s
1.7
2.5
V
IRM
Reverse recovery current
Tj = 125 °C
IF = 20 A, VCC = 200 V
dIF/dt = 200 A/s
811
A
Sfactor
Softness factor
0.3
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参数描述
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