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参数资料
| 型号： | STTH2L06A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STTH2L06A |
Characteristics
STTH2L06
4/9
Doc ID10758 Rev 2
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to case vs
pulse duration (DO-41)
Figure 6.
Peak reverse recovery current vs
dI
F/dt (typical values)
Figure 7.
Reverse recovery time vs dIF/dt
(typical values)
Figure 8.
Reverse recovery charges vs
dIF/dt (typical values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z/R
th(j-a)
t (s)
p
Single pulse
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
Q (nC)
rr
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
Figure 9.
Relative variations of dynamic
parameters vs junction temperature
Figure 10.
Transient peak forward voltage vs
dIF/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
IRM
QRR
trr
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
0
5
10
15
20
25
0
50
100
150
200
250
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
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