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参数资料
| 型号： | STTH2R02QRL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | STTH2R02QRL |
STTH2R02
Characteristics
3/9
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
23
30
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
15
20
IRM
Reverse recovery current
IF = 2 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125° C
34
A
tfr
Forward recovery time
IF = 2 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25° C
40
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 2 A, dIF/dt = 100 A/s,
Tj = 25° C
2.0
V
Figure 1.
Peak current versus duty cycle
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
I
M(A)
0
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 2 W
P = 1 W
P = 5 W
δ
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (SMA)
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
SMA
S
cu=1cm
tP(s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH310RL | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH310S | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH310 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH8S06D | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH8S06FP | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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