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参数资料
| 型号： | STTH2R06 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | STTH2R06 |
Characteristics
STTH2R06
4/10
Doc ID 10757 Rev 4
Figure 5.
Reverse recovery time versus dI
F/dt
(typical values)
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dI
F/dt (typical values)
Figure 7.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 8.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 9.
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
100
200
300
400
500
Q (nC)
rr
I =2 x I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
dI /dt(A/s)
F
I=I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
25
50
75
100
125
IRM
QRR
trr
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH2R06A | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STTH3002CR | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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