参数资料
型号: STTH3002W
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-247
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 4/10页
文件大小: 121K
代理商: STTH3002W
STTH3002
Characteristics
3/10
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
22
27
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
40
50
IRM
Reverse recovery current
IF = 30 A, dIF/dt = 200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125 °C
7.6
9.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 30 A, dIF/dt = 200 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
140
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 30 A, dIF/dt = 200 A/s,
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
2.5
V
Figure 1.
Peak current versus duty cycle
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M(A)
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 10 W
P = 5 W
P = 20 W
δ
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
FM(A)
T
j=25 °C
T
j=150 °C
VFM(V)
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance, junction to case,
versus pulse duration
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
FM(A)
T
j=25 °C
T
j=150 °C
VFM(V)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
DPAK
tp(s)
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