参数资料
型号: STTH3006CW
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
文件页数: 3/5页
文件大小: 66K
代理商: STTH3006CW
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
MaTj=125°C
Tj=125°C
Typical values
MaxTj=25°C
Fig. 2:
Forward voltage drop versus current
(per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dI
F
/dt (90% confidence, per diode).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
dIF/dt(A/μs)
trr(ns)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(90% confidence, per diode).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
dIF/dt(A/μs)
Qrr(nC)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
Fig. 6:
Reverse charges versus dI
F
/dt (90%
confidence, per diode).
STTH3006CW
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