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参数资料
| 型号： | STTH302S |
| 英文描述： | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| 中文描述： | 高效超快二极管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | STTH302S |
STTH3R06
4/9
Figure 7:
Softness factor versus d
IF
/dt (typical
values)
Figure 8: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 9: Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
Figure 10: Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 11: Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 12: Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under lead
(epoxy FR4, e
CU
=35μm) (DO-201AD)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I =I
V =400V
T=125°C
dI /dt(A/μs)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S factor
T (°C)
I =I
V =400V
R
Reference:T=125°C
j
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
(V)
FP
dI /dt(A/μs)
I =I
T=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
t (ns)
I =I
F
=1.1 x V max.
T=125°C
F(AV)
V
FR
F
dI /dt(A/μs)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
V
OSC
RMS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
S
(cm2)
CU
R
(°C/W)
th(j-a)
DO-201AD
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PDF描述 |
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参数描述 |
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