参数资料
型号: STTH306
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
代理商: STTH306
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STTH306
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1.5
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2.5
3.0
3.5
4.0
IF(av)(A)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
P(W)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
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4.0
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Typical values)
Tj
IFM(A)
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current
.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
Zth(j-a)/Rth(j-a)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4, Leads = 10mm)
0
10
20
30
40
50
60
70
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0
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150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
0
50
100
150
200
250
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400
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0
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200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence).
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PDF描述
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STTS751-0WB3F TEMPERATURE SENSOR, PDSO6
STTS751-1DP3E TEMPERATURE SENSOR, PDSO6
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SU-A3DCNC9-FREQ LVDS HF VCXO
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