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参数资料
| 型号： | STTH310S |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | STTH310S |
Characteristics
STTH310
2/7
Doc ID 9346 Rev 3
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.20 x IF(AV) + 0.075 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
1000
V
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
TL = 75 °C, δ = 0.5
DO-201AD
3
A
TL = 75 °C, δ = 0.5
SMC
3
IFSM
Forward surge current
tp = 8.3 ms sinusoidal
DO-201AD
55
A
SMC
45
Tstg
Storage temperature range
- 50 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
+ 175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
L = 10 mm
DO-201AD
20
°C/W
SMC
20
Rth(j-a)
Junction to ambient
L = 10 mm
DO-201AD
75
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
--
10
A
Tj = 125 °C
-
50
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 3 A
--
1.7
V
Tj = 150 °C
-
0.98
1.42
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A
IR = 1 A, Tj = 25 °C
-
75
ns
tfr
Forward recovery time
IF = 3 A, dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
--
300
ns
VFP
Forward recovery voltage
-
12
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH310 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH8S06D | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH8S06FP | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SUM100UFSMS | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM100UF | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH310UFY | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBflat 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| STTH312 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH312B | 功能描述:整流器 Ultrafast Recovery 1200 V Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH312B-TR | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH31AC06SPF | 功能描述:TURBO 2 ULTRASOFT HIGH VOLTAGE R 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:在售 标准包装:900 |
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