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参数资料
| 型号： | STTH312B |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STTH312B |
Characteristics
STTH312
2/8
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.4 x IF(AV) + 0.1 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
1200
V
IF(RMS)
RMS forward current
6
A
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
Tc = 150° C
3
A
IFRM
Repetitive peak forward current
tp = 5 s, F = 5 kHz square
35
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
35
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 2.
Thermal parameter
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
3.8
°C/W
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
10
A
Tj = 125° C
2
100
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 3 A
2
V
Tj = 125° C
1.20
1.7
Tj = 150° C
1.15
1.65
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SAC12/54-E3 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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