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参数资料
| 型号： | STTH3R04RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | STTH3R04RL |
STTH3R04
Characteristics
3/10
Table 5.
Dynamic characteristics (Tj = 25 °C unless otherwise stated)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
35
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
18
25
IRM
Reverse recovery current
IF = 3.0 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 320 V, Tj = 125 °C
45.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 3.0 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
75
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 3.0 A
dIF/dt = 100 A/s
2.5
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
P(W)
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
IF(AV)(A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
I
FM(A)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=25°C
(Maximum values)
T
J=25°C
(Maximum values)
VFM(V)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead versus
pulse duration, DO-15 (epoxy FR4,
copper thickness = 35 m)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration, DO-201AD
(epoxy FR4, copper
thickness = 35 m)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
DO-15
Lleads=10mm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-201AD
Lleads=10mm
tP(s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH3R04S | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH3R04 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH3R04U | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH802G | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH802B-TR | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STTH3R04U | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH3R06 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH3R06RL | 功能描述:整流器 3.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH3R06S | 功能描述:整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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