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参数资料
| 型号： | STTH3R04U |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | STTH3R04U |
Characteristics
STTH3R04
4/10
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration, SMB (epoxy
FR4, copper thickness = 35 m)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration, SMC
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
SMB
SCu=1cm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
SMC
SCu=1cm
tP(s)
Figure 7.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
OSC=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F= 3 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F= 3 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
100
1000
I
RM(A)
I
F= 3 A
V
R=320 V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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