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参数资料
| 型号： | STTH3R06RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | STTH3R06RL |
STTH3R06
4/9
Figure 7: Softness factor versus dIF/dt (typical
values)
Figure 8: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 9: Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10: Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure
11:
Junction
capacitance
versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 12: Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under lead
(epoxy FR4, eCU=35m) (DO-201AD)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
50
75
100
125
IRM
QRR
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
t (ns)
fr
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
dI /dt(A/s)
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
01
2345
678
9
10
S
(cm)
CU
R
(°C/W)
th(j-a)
DO-201AD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH4L06RL | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH4L06Q | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH4L06QRL | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH5R06D | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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