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参数资料
| 型号： | STTH4L06Q |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | STTH4L06Q |
Characteristics
STTH4L06
2/8
Doc ID 16276 Rev 1
1
Characteristics
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation:
P = 0.92 x IF(AV) + 0.045 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values at 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS)
Forward rms current
10
A
IF(AV)
Average forward current
4
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 8.3 ms sinusoidal
80
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
Terminal length = 10 mm
DO-15
25
°C/W
DO-201AD
20
Rth(j-a)
Junction to ambient
DO-15
80
°C/W
DO-201AD
75
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
--
3
A
Tj= 150 °C
-
15
100
VF
(2)
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 3 A
-
1.30
V
Tj = 150 °C
-
0.85
1.05
Tj = 150 °C
IF = 4 A
-
0.90
1.10
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
dIF/dt = -50 A/s
IF = 1 A, VR = 30 V
-55
75
ns
dIF/dt = -100 A/s
-
40
55
IRM
Reverse recovery current
Tj = 25 °C
IF = 4 A, VR = 400 V,
dIF/dt = -100 A/s
-3
4
A
Tj = 150 °C
-
5
6.5
tfr
Forward recovery time
IF = 4 A, dIF/dt = 100 A/s,
VFR = 1.1 x VFmax
--
130
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 4 A, dIF/dt = 100 A/s
-
7.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH4L06QRL | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH5R06D | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTHR5R06G | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTHR5R06FP | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH6006CW | 30 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STTH4L06RL | 功能描述:整流器 ULTRAFAST HI FAST VOLT RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH4R02 | 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH4R02B | 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| STTH4R02B-TR | 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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